PFCVAD Sistemi ile Üretilen n ve p-Tipi Zno İnce Filmlerin Fotolüminesans Özelliklerinin Karşılaştırılması

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Çukurova Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2014

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Havva Özdamar

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): HAMİDE KAVAK

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada atmalı filtreli katodik vakum ark depolama (PFCVAD) sistemi kullanılarak oda sıcaklığında (25°C) cam alt tabanlar üzerine n ve p-tipi çinko oksit (ZnO) ince fimler elde edilmiştir. p-tipi ZnO ince filmler azot (N) katkılama ile O2-N2 karışım atmosferinde cam alt tabanlar üzerine depolanmışlardır. Elde edilen yarıiletken ince filmlerin optiksel, yapısal, elektriksel, yüzey ve fotolüminesans özellikleri belirlenmiş ve tartışılmıştır.