Güneş pili yapımında kullanılan SnS2 ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Çukurova Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2011

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: GÜLAY ALTINDEMİR

Danışman: CEBRAİL GÜMÜŞ

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, SnS2 ince filmleri, kimyasal depolama yöntemi (KDY) kullanılarak 40-80 oC de cam alttabanlar üzerinde elde edildi. X-ışını analizi sonucu filmlerin amorf yapıya sahip oldukları görülmüştür. Hall ölçümlerinden filmlerin n-tipi iletkenliğe sahip oldukları, özdirenç değerleri (3.63-4.14) ? 105 ?.cm, mobilte değerleri 10-68 cm2/V?s sırasıyla bulunmuştur. Soğurma spektrumu ölçümlerinden filmlerin enerji bant aralığı 2.0-2.40 eV olarak hesaplanmıştır.