Farklı Bakır Kaynakları Kullanılarak Cu2O İnce Filmlerin Elektrokimyasal Depolama Yöntemi ile Hazırlanması ve Özelliklerinin Araştırılması

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Çukurova Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2025

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: NUHAT SAKİN URFAN

Danışman: CEBRAİL GÜMÜŞ

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu tezde, Elektrokimyasal depolama (ECD) yöntemi ile 60 oC'de sıcaklıkta farklı bakır öncül tuzları [Cu(CH3COO)2·H2O (bakır (II) asetat), CuSO4·5H2O (bakır (II) sülfat), Cu(NO3)2·3H2O (bakır (II) nitrat), CuCl2·2H2O (bakır (II) klorür)] kullanılarak ITO (İndiyum kalay oksit) alttabanlar üzerine Cu2O yarıiletken ince filmler üretilmiştir. Bu ince filmlerin yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri ayrıntılı olarak analiz edilmiş ve elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak değerlendirilmiştir. XRD analizleri, tüm filmlerin kübik kristal sisteminde kuprit fazında kristallendiğini ve (111) düzleminde güçlü tercihli yönelim gösterdiği belirlenmiştir. Ayrıca bakır (II) sülfat öncül tuzuyla elde edilen Cu2O ince film, diğer bakır tuzlarıyla üretilenlere göre daha yüksek kristalleşme kalitesi göstermiştir. FE-SEM görüntüleri, ince filmlerin genel olarak düzenli bir morfolojiye ve homojen kristal dağılımına sahip olduğunu göstermiştir. Ayrıca morfolojik kalite açısından en başarılı sonuçlar bakır (II) sülfat tuzuyla elde edilmiştir. İnce filmlerin temel optik parametre (%T, %R, A, Eg, n, k, ε1, ε2,) değerleri UV-Vis spektrofotometresi kullanılarak hesaplandı. Bakır asetat, sülfat, nitrat ve klorür öncül tuzlarıyla üretilen Cu2O ince filmlerin enerji bant aralıkları (Eg) sırasıyla 2,54 eV, 2,49 eV, 2,52 eV ve 2,59 eV olarak belirlenmiştir. AFM analizinde ise en düşük yüzey pürüzlülük değerleri bakır (II) sülfat tuzu ile hazırlanan Cu2O ince filmde gözlenmiştir (Ra: 2,49 nm; Rq: 3,08 nm).